1. Общее описание   

Установка предназначена для мелкосерийного производства и проведения исследовательских работ.Установка позволяет получать тонкопленочные покрытия в высоком вакууме способом магнетронного распыления.

Осаждение материала происходит на подложки, которые закреплены на дисковом подложкодержателе. Безмаслянная вакуумная откачка. Нанесение покрытий в ручном и автоматическом режимах. Составление различных рецептов технологических процессов, хранение их в памяти и автоматическое проведение процесса по выбранному рецепту. Автоматическое ведение протоколов проведения технологического процесса.   Опционально установка  оснащена системой удаленного доступа. 

2. Технические характеристики. 

2.1 Подложкодержатель   - диск D=230мм. Максимальный диаметр подложек – 200мм. Равномерность в зоне подложкодержателя составляет не более 5%.

2.2 Материалы подложки:  стекло, полупроводники, керамика.

2.3 Способ нанесения покрытия: методом магнетронного распыления.

2.4 Напыление одностороннее.

2.5 Наносимые покрытия:

  • Покрытие 1 – металлы: алюминий, золото, медь, никель и др. толщины слоя 100 – 2000 нм. М.б. 1-2 слоя
  • Покрытие 2 – керамики: оксидные, карбидные и др. толщины слоя 100 – 2000 нм. М.б. 1-2 слоя
  • Покрытие 3 – защитные, оптические: фторид магния, оксид кремния, оксид циркония, оксид титана и др. толщины слоя 50 – 500 нм. М.б. 1-2 слоя.

Мишени предоставляются  Заказчиком.

2.6 Технологические устройства:

  • Ионный источник очистки  1шт.
  • DC магнетрон – 1шт. (Gencoa).
  • PULSE-DC магнетрон – 1шт. (Gencoa).
  • RF магнетрон – 1шт. (Gencoa).

2.7 Температура нагрева подложек – до 350 оС.

  • Тип нагревателя – ТЭН.
  • Точность установки температуры – не более ± 2оС.

2.8 Загрузка подложкодержателя в процессорную камеру.- ручная.

2.9 Контроль толщины напыляемой пленки – кварцевый контроль. Количество датчиков – 2шт. 

2.10 Система управления обеспечивает проведения технологического процесса в ручном или автоматическом режимах.

2.11 Скорость вращения подложкодержателя, регулируемая в диапазоне 0 ÷ 60 об/мин.

2.12 Безмасленная система откачки: a. низковакуумный спиральный насос процессорной камеры b. высоковакуумный турбомолекулярный насос процессорной камеры

2.13 Предельное остаточное давление в процессорной камере 5х10-4Па.

2.14 Охлаждение – проточная вода.

Остались вопросы, на которые нет ответа?

Свяжитесь с нами
Юридический адрес

Российская Федерация, г. Москва,
ул. Бардина, д.4, стр. 1
web сайт: nanotech.ru e-mail: info@nanomods.ru

Тендерный отдел

Российская Федерация,г. Москва,
ул. Бардина, д.4, стр. 1
e-mail: tender@nanomods.ru Тел.: +7 (499) 135-8090

Время работы:

понедельник - пятница: 09:00 - 18:00

суббота - воскресенье: выходной