Позволяет получать тонкопленочные покрытия в высоком вакууме способом магнетронного распыления.

1. Общее описание

Установка предназначена для мелкосерийного производства и проведения исследовательских работ. Установка позволяет получать тонкопленочные покрытия в высоком вакууме способом магнетронного распыления. Осаждение материала происходит на подложки, которые закреплены на дисковом подложкодержателе. Безмаслянная вакуумная откачка. Нанесение покрытий в ручном и автоматическом режимах. Составление различных рецептов технологических процессов, хранение их в памяти и автоматическое проведение процесса по выбранному рецепту. Автоматическое ведение протоколов проведения технологического процесса. Опционально установка  оснащена системой удаленного доступа. 

2. Технические характеристики. 

  • Подложкодержатель - диск D=230мм. Максимальный диаметр подложек – 200мм. Равномерность в зоне подложкодержателя составляет не более 5%.
  • Материалы подложки:  стекло, полупроводники, керамика.
  • Способ нанесения покрытия: методом магнетронного распыления.
  • Напыление одностороннее.
  • Наносимые покрытия: Покрытие 1 – металлы: алюминий, золото, медь, никель и др. толщины слоя 100 – 2000 нм. М.б. 1-2 слоя Покрытие 2 – керамики: оксидные, карбидные и др. толщины слоя 100 – 2000 нм. М.б. 1-2 слоя Покрытие 3 – защитные, оптические: фторид магния, оксид кремния, оксид циркония, оксид титана и др. толщины слоя 50 – 500 нм. М.б. 1-2 слоя. Мишени предоставляются  Заказчиком.
  • Технологические устройства: a. Ионный источник очистки  1шт. b. DC магнетрон – 1шт. (Gencoa). c. PULSE-DC магнетрон – 1шт. (Gencoa). d. RF магнетрон – 1шт. (Gencoa). 7. Температура нагрева подложек – до 350 оС. a. Тип нагревателя – ТЭН. b. Точность установки температуры – не более ± 2оС.
  • Загрузка подложкодержателя в процессорную камеру.- ручная.
  • Контроль толщины напыляемой пленки – кварцевый контроль. Количество датчиков – 2шт.
  • Система управления обеспечивает проведения технологического процесса в ручном или автоматическом режимах.
  • Скорость вращения подложкодержателя, регулируемая в диапазоне 0 ÷ 60 об/мин.
  • Безмасленная система откачки: a. низковакуумный спиральный насос процессорной камеры b. высоковакуумный турбомолекулярный насос процессорной камеры
  • Предельное остаточное давление в процессорной камере 5х10-4Па.
  • Охлаждение – проточная вода.
  • Описание технических решений 

Установка конструктивно состоит из процессорной камеры, системы откачки, системы охлаждения, системы газовой, системы распыления и системы управления.   

На фланцах процессорной  камеры расположены: 

  • PULSE-DC магнетрон; 
  • DC магнетрон; 
  • RF магнетрон; 
  • Источник очистки ; 
  • Элементы системы откачки 
  • Элементы системы газовой 
  • Элементы системы охлаждения 

Внутри процессорной камеры расположены: 

  • Вращающийся подложкодержатель
  • Нагреватель
  • Датчики системы кварцевого контроля

В процессорной камере средствами откачки являются  сухой механический насос, а также турбомолекулярный  насос.

Остались вопросы, на которые нет ответа?

Свяжитесь с нами
Юридический адрес

Российская Федерация, г. Москва,
ул. Бардина, д.4, стр. 1
web сайт: nanotech.ru e-mail: info@nanomods.ru

Тендерный отдел

Российская Федерация,г. Москва,
ул. Бардина, д.4, стр. 1
e-mail: tender@nanomods.ru Тел.: +7 (499) 135-8090

Время работы:

понедельник - пятница: 09:00 - 18:00

суббота - воскресенье: выходной